APTGF100DA120T1G
producent:
Technologia mikroczipu
Opis:
MODUŁ IGBT 1200V 130A 735W SP1
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
130 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
SP1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3,7 V przy 15 V, 100 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SP1
Mfr:
Technologia mikroczipu
Temperatura pracy:
-
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
250µA
Typ IGBT:
NPT
Moc — maks:
735 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
6,5 nF przy 25 V
konfiguracja:
Samotny
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Wprowadzenie
Moduł IGBT NPT Jednorazowy 1200 V 130 A 735 W Podwozie zamontowane SP1
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: