FS50R07E4BPSA1
producent:
Technologie Infineon
Opis:
MODUŁ IGBT 650V 75A 230W
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
75 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
SmartPACK1
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,95 V przy 15 V, 50 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
650 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 125°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1mA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
230 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
95 pF przy 25 V
konfiguracja:
Falownik z pełnym mostkiem
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
FS50R07
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Full Bridge Inverter 650 V 75 A 230 W Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: