VS-GA200SA60UP
producent:
Vishay General Semiconductor - Diody
Opis:
IGBT MOD 600 V 200 A 500 W SOT227
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
200 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
SOT-227-4, miniBLOK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,9 V przy 15 V, 100 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
600 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diody
Temperatura pracy:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1mA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
500 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
16,5 nF przy 30 V
konfiguracja:
Samotny
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
GA200
Wprowadzenie
Moduł IGBT pojedynczy 600 V 200 A 500 W
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: