Wyślij wiadomość

DF300R12KE3HOSA1

producent:
Technologie Infineon
Opis:
IGBT MOD 1200 V 480 A 1470 W
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
480 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 V przy 15 V, 300 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 125°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5mA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
1470 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
21 nF przy 25 V
konfiguracja:
Samotny
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
DF300R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Jednorazowy 1200 V 480 A 1470 W Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: