FZ1200R33KF2CNOSA1
producent:
Technologie Infineon
Opis:
MODUŁ IGBT 3300V 2000A
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
2000 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
4,25 V przy 15 V, 1200 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
3300 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 125°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
12mA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
14500 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
150 nF przy 25 V
konfiguracja:
Pełny mostek
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
FZ1200
Wprowadzenie
Moduł IGBT Full Bridge 3300 V 2000 A 14500 W Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: