FS150R12N2T7B54BPSA1
producent:
Technologie Infineon
Opis:
NISKA MOC EKONOMICZNA
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
150 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
EconoPACK™ 2
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,8 V przy 15 V, 150 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
AG-ECONO2B
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
12µA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
20 mW
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
30,1 nF przy 25 V
konfiguracja:
Falownik z pełnym mostkiem
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
FS150R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200 V 150 A 20 mW Podwozie AG-ECONO2B
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: