FF1800R23IE7PBPSA1
producent:
Technologie Infineon
Opis:
Moduł IGBT
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
1800 r
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
PrimePACK™3+ B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,26 V przy 15 V, 1,8 kA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
2300 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
PrimePACK™ 3+
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
30 ma
Typ IGBT:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
420 nF przy 25 V
konfiguracja:
2 niezależne
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Wprowadzenie
Moduł IGBT 2 Niezależny 2300 V 1800 A Podwozie zamontowane PrimePACKTM 3+
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: