APTGL475A120D3G
producent:
Technologia mikroczipu
Opis:
MODUŁ IGBT 1200V 610A 2080W D3
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
610 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł D-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,2 V przy 15 V, 400 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
D3
Mfr:
Technologia mikroczipu
Temperatura pracy:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5mA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
2080 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
24,6 nF przy 25 V
konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
APTGL475
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 610 A 2080 W Podwozie mocowane D3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: