FS25R12KT3BOSA1
producent:
Technologie Infineon
Opis:
IGBT MOD 1200 V 40 A 145 W
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
40 A
Status produktu:
Wycofane w Digi-Key
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
EconoPACK™ 2
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,15 V przy 15 V, 25 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Technologie Infineon
Temperatura pracy:
-40°C ~ 125°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5mA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
145 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
1,8 nF przy 25 V
konfiguracja:
Pełny mostek
Termistor NTC:
- Tak, proszę.
Numer produktu podstawowego:
FS25R12
Wprowadzenie
Moduł IGBT Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 40 A 145 W
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: